[发明专利]晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置有效
| 申请号： | 201710390218.6 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107436306B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 清水泰顺;高梨启一;北村贵文;北山乔之 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01B11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨思捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供：可以抑制测定者间的评价结果的偏差的晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置。所述晶体缺陷的评价方法的特征在于：对硅片施行使该硅片中的晶体缺陷显现化的处理(步骤S1)，其次拍摄硅片的表面以获取图像(步骤S2)，然后对上述图像依次施行微分处理和二值化处理(步骤S3)，根据施行了二值化处理的图像来评价硅片中的晶体缺陷(步骤S4)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体缺陷 评价 方法 硅片 制造 装置 | ||
【主权项】：
晶体缺陷的评价方法，其特征在于：对硅片施行使该硅片中的晶体缺陷显现化的处理，其次拍摄上述硅片的表面以获取图像，然后对上述图像依次施行微分处理和二值化处理，根据施行了上述二值化处理的图像来评价上述硅片中的晶体缺陷。
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