[发明专利]一种LED外延生长方法

摘要

本申请提供了一种LED外延生长方法，该LED外延是采用金属化学气相沉积法MOCVD对基底进行处理获得的，该方法包括：将基底进行退火，在基底上依次生长缓冲层、u‑GaN层、n‑GaN层、量子阱层、Al渐变AlGaN层、InGaN:Mg层、In渐变InGaN层、p型AlGaN层和p型GaN层；通过将Al渐变AlGaN层作为第一电子阻挡层，InGaN:Mg层和In渐变InGaN层构成新型电子注入层，p型AlGaN层作为第二电子阻挡层，制备出量子阱区域的空穴注入浓度高，驱动电压低的LED，提高了LED的发光效率。

主权项

1.一种LED外延生长方法，其特征在于，所述LED外延是采用金属化学气相沉积法MOCVD对基底进行处理获得的，包括：将所述基底在1050‑1150℃温度下，氢气气氛里进行退火，清洁所述基底表面；在所述基底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长u‑GaN层；在所述u‑GaN层上生长n‑GaN层；在所述n‑GaN层上生长量子阱层；在所述量子阱层上生长Al渐变AlGaN层，其中，Al的摩尔组分随着生长逐渐减小；在所述Al渐变AlGaN层上生长InGaN:Mg层；在所述InGaN:Mg层上生长In渐变InGaN层，In的摩尔组分随着生长逐渐增加；在所述In渐变InGaN层上生长p型AlGaN层；在所述p型AlGaN层上生长p型GaN层。