[发明专利]一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其包括以下步骤S1制备C8‑BTBT与PMMA混合溶液；S2衬底清洗选取含二氧化硅的P型重掺硅片，裁剪后对其进行清洗；S3制备C8‑BTBT有源层和PMMA修饰层在衬底上用滴管铺满由步骤S1配置得到的C8‑BTBT与PMMA混合溶液，在2000～3000rpm的转速下旋涂40s；S4对旋涂好的薄膜进行热处理；S5制备氧化钼缓冲层；S6制备源漏电极。该制备方法简单、制得的有源层表面缺陷少，制得的晶体管器件性能得到提高。本发明还提供一种采用上述制备方法制备而成的晶体管，其迁移率可达到10.40cm2/(V·S)，开关比大，开态电流大，性能较现有技术有了显著的提升。

主权项

一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：制备C8‑BTBT与PMMA混合溶液：以C8‑BTBT和PMMA为溶质，氯苯为溶剂，配制成质量比为0.1％～1％的C8‑BTBT和质量比为0.1％～1％的PMMA混合溶液，所配溶液超声5～15min后使用，现配现用；S2：衬底清洗：选取含二氧化硅的P型重掺硅片，裁剪后对其进行清洗；S3：制备C8‑BTBT有源层和PMMA修饰层：在衬底上用滴管铺满由步骤S1配置得到的C8‑BTBT与PMMA混合溶液，在2000～3000rpm的转速下旋涂40s；S4：对旋涂好的薄膜进行热处理；S5：制备氧化钼缓冲层：采用热蒸发法在C8‑BTBT有源层上通过掩模板沉积厚度为5～10nm的氧化钼层；S6：制备源漏电极：采用热蒸法在步骤S5制备的氧化钼缓冲层相同位置上沉积厚度为35～45nm的金电极。