[发明专利]一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：制备C8-BTBT与PMMA混合溶液：以C8-BTBT和PMMA为溶质，氯苯为溶剂，配制成质量比为0.5%的C8-BTBT和质量比为0.5%的PMMA混合溶液，所配溶液超声5～15min后使用，现配现用；

S2：衬底清洗：选取含二氧化硅的P型重掺硅片，裁剪后对其进行清洗；

S3：制备C8-BTBT有源层和PMMA修饰层：在衬底上用滴管铺满由步骤S1配置得到的C8-BTBT与PMMA混合溶液，在2000～3000 rpm的转速下旋涂40s；

S4：对旋涂好的薄膜进行热处理，在热板上加热到60℃，空气中退火120min；

S5：制备氧化钼缓冲层：采用热蒸发法在C8-BTBT有源层上通过掩模板沉积厚度为5~10nm的氧化钼层；

S6：制备源漏电极：采用热蒸法在步骤S5制备的氧化钼缓冲层相同位置上沉积厚度为35~45nm的金电极；

步骤S3之前还包括以下步骤：将步骤S2衬底放入紫外臭氧清洗机UV-OZONE中进行UV-OZONE处理，处理时间为1min。

2.根据权利要求1所述的基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：步骤S2中，首先选取含二氧化硅的P型重掺硅片，用硅片刀切成边长为1.5cm的正方形；然后通过超声对其进行清洗：依次放入丙酮、异丙醇、去离子水、丙酮、异丙醇、去离子水中，再将其用去离子水冲洗两分钟，使其去除表面的有机物杂质；再用氮气枪喷射氮气将硅片表面去离子水吹干，最后将其放入烘箱中烘干。

3.根据权利要求1所述的基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：步骤S5中，沉积速度为0.01~0.02 nm/s，沉积是在高真空的腔体中进行的，气压为2×10^-4~8×10^-4 Pa。

4.根据权利要求1所述的基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：步骤S6中，沉积速度为0.01~0.03nm/s，沉积在高真空的腔体中进行，气压为2×10^-4~8×10^-4 Pa。

5.根据权利要求1所述的基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所配溶液超声10min后使用。

6.一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管，其特征在于：以P型重掺硅为基底和底栅电极，二氧化硅为介电层，有机聚合物PMMA为界面修饰层，有机小分子C8-BTBT为有源层，过渡金属氧化物氧化钼作为金属电极和半导体之间的缓冲层，金属金作为源漏电极；其通过如权利要求1~5任一项所述的制备方法制备而成。