[发明专利]用于选择性区域沉积的集成集群工具有效
申请号: | 201710364977.5 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107464766B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 托宾·卡芙曼·奥斯本;斯里维斯·D·内曼尼;卢多维克·葛德特;奇伟·梁;阿迪布·可汗 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文所述实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。在一个实施方式中,提供一种集群工具装置,所述集群工具装置具有传递腔室和围绕所述传递腔室设置的预清洁腔室、自组装单层(self‑assembled monolayer;SAM)沉积腔室、原子层沉积(atomic layer deposition;ALD)腔室和后处理腔室。基板可被集群工具处理并在预清洁腔室、SAM沉积腔室、ALD腔室和后处理腔室之间传递。基板在每个所述腔室之间的传递可通过容纳有传递机器人的传递腔室来促进。 | ||
搜索关键词: | 用于 选择性 区域 沉积 集成 集群 工具 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,包含:平台,所述平台具有中心设置的传递腔室;第一处理腔室,所述第一处理腔室耦接至所述传递腔室,所述第一处理腔室经构造以执行表面改性工艺;第二处理腔室,所述第二处理腔室耦接至所述传递腔室,所述第二处理腔室经构造以执行自组装单层处理工艺;第三处理腔室,所述第三处理腔室耦接至所述传递腔室,所述第三处理腔室经构造以执行原子层沉积工艺;以及第四处理腔室,所述第四处理腔室耦接至所述传递腔室,所述第四处理腔室经构造以执行退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造