[发明专利]SoC芯片局域磁屏蔽封装方法以及SoC芯片局域磁屏蔽封装件有效
| 申请号： | 201710349325.4 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108962837B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 叶力;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/552;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SoC局域磁屏蔽封装方法以及SoC芯片局域磁屏蔽封装件。本发明的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法包括：形成SoC裸芯片，其中所述SoC裸芯片中形成有MRAM功能模块和非MRAM功能模块；在SoC裸芯片的背面形成第一凹槽，所述第一凹槽区域在从正面到背面的方向上覆盖MRAM功能模块，而且在SoC裸芯片的正面在MRAM功能模块四周形成第二环形凹槽；在第一凹槽中填充磁屏蔽材料，而且在SoC裸芯片的正面的局部区域上形成磁屏蔽材料以使得磁屏蔽材料完全覆盖MRAM功能模块和第二环形凹槽，而且磁屏蔽材料在从正面到背面的方向上与非MRAM功能模块不重叠；将形成磁屏蔽材料的SoC裸芯片粘贴在焊盘底板上，形成芯片引线键合，并且形成芯片整体封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | soc 芯片 局域 屏蔽 封装 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于包括：形成SoC裸芯片，其中所述SoC裸芯片中形成有MRAM功能模块和非MRAM功能模块；在SoC裸芯片的背面形成第一凹槽，所述第一凹槽区域在从正面到背面的方向上覆盖MRAM功能模块，而且在SoC裸芯片的正面在MRAM功能模块四周形成第二环形凹槽；在第一凹槽中填充磁屏蔽材料，而且在SoC裸芯片的正面的局部区域上形成磁屏蔽材料以使得磁屏蔽材料完全覆盖MRAM功能模块和第二环形凹槽，而且磁屏蔽材料在从正面到背面的方向上与非MRAM功能模块不重叠；将形成磁屏蔽材料的SoC裸芯片粘贴在焊盘底板上，形成芯片引线键合，并且形成芯片整体封装结构。
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