[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710348174.0 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN106960881B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈传宝;石跃;马俊才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法。薄膜晶体管包括设置在基底上的栅电极和覆盖所述栅电极的栅绝缘层，还包括依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极。制备方法包括：在基底上形成栅电极和栅绝缘层；在栅绝缘层上形成依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极。本发明通过将第一电极、有源层和第二电极依次叠设在栅电极远离基底的表面上，且第一电极、有源层和第二电极在基底上的正投影与栅电极在基底上的正投影至少部分重合，有效减小了薄膜晶体管的尺寸，不仅可以提高开口率，实现高分辨率显示，而且可以保证对位精度和线宽控制，提高了良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的栅电极和覆盖所述栅电极的栅绝缘层，其特征在于，还包括依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710348174.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改善射频开关特性的MOSFET结构
- 下一篇：点阵式光电探测器
- 同类专利
- 专利分类
