[发明专利]激光二极管芯片在审
| 申请号： | 201710348142.0 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107394584A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·艾希勒;特雷莎·武尔姆 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,李建航 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片具有n型半导体区域(3)、p型半导体区域(5)和设置在n型半导体区域(3)和p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构。单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层设置在第一势垒层(41)和第二势垒层(42)之间，其中第一势垒层(41)朝向n型半导体区域(3)，并且第二势垒层(42)朝向p型半导体区域(5)。量子阱层(43)的电子带隙EQW小于第一势垒层(41)的电子带隙EB1并且小于第二势垒层(42)的电子带隙EB2，并且第一势垒层(41)的电子带隙EB1大于第二势垒层(42)的电子带隙EB2。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片包括：‑n型半导体区域(3)，‑p型半导体区域(5)，‑设置在所述n型半导体区域(3)和所述p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构，其中‑所述单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层设置在第一势垒层(41)和第二势垒层(42)之间，其中所述第一势垒层(41)朝向所述n型半导体区域(3)，并且所述第二势垒层(42)朝向所述p型半导体区域(5)，‑所述量子阱层(43)的电子带隙EQW小于所述第一势垒层(41)的电子带隙EB1并且小于所述第二势垒层(42)的电子带隙EB2，并且‑所述第一势垒层(41)的电子带隙EB1大于所述第二势垒层(42)的电子带隙EB2。
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