[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法和光转换装置有效
| 申请号： | 201710347873.3 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107302042B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云;黄龙杰;杨春艳;吴志浩;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/073 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法和光转换装置，属于半导体技术领域。方法包括：提供一待划裂的芯片；沿垂直于芯片的层叠方向的直线方向移动芯片，并提供第一脉冲光束，控制第一脉冲光束沿芯片的层叠方向穿过蓝宝石衬底，以使第一脉冲光束在每次照射蓝宝石衬底时形成面状划痕，第一脉冲光束在平行于蓝宝石衬底的设有N型半导体层的表面的截面的面积，沿第一脉冲光束的照射方向先减小再增大，截面在面积为最小值时为一条与直线方向平行的线段，线段的长度大于芯片第一脉冲光束相邻两次照射所述蓝宝石衬底之间时移动的距离；沿面状划痕劈裂蓝宝石衬底，形成相互独立的芯片。本发明提高了芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制备 方法 转换 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供一待划裂的芯片，所述芯片包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极，所述P型半导体层上开设有从所述P型半导体层沿所述芯片的层叠方向延伸到所述N型半导体层的凹槽，所述凹槽内的所述N型半导体层上设有N型电极；/n沿垂直于所述芯片的层叠方向的直线方向移动所述芯片，并提供第一脉冲光束，控制所述第一脉冲光束沿所述芯片的层叠方向穿过所述蓝宝石衬底，以使所述第一脉冲光束在每次照射所述蓝宝石衬底时形成面状划痕，所述第一脉冲光束在平行于所述蓝宝石衬底的设有所述N型半导体层的表面的截面的面积，沿所述第一脉冲光束的照射方向先减小再增大，所述截面在面积为最小值时为一条与所述直线方向平行的线段，所述线段的长度大于所述芯片在所述第一脉冲光束相邻两次照射所述蓝宝石衬底之间时移动的距离；/n沿所述面状划痕劈裂所述蓝宝石衬底，形成相互独立的芯片。/n
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