[发明专利]一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管

摘要

本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱有源区、Al_zGa_1‑zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型欧姆电极。本发明的有益效果为：本发明可形成与极化电场方向相反的补偿电场，一方面有利于减缓甚至消除量子阱的能带倾斜，增加量子阱势垒层的有效高度，提高载流子，特别是电子在多量子阱结构中分布的均匀性；另一方面，增加了量子阱中的电子与空穴的波函数在空间上的重叠程度，提高了电子与空穴的辐射复合效率，从而能够显著提升UV‑LED的发光效率。

主权项

1.一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，其特征在于，包括：由下至上依次设置的衬底(101)，AlN中间层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、双掺杂的Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱有源区(105)、Al_zGa_1‑zN电子阻挡层(106)，其中z>y>x，p型AlGaN层(107)和透明导电层(108)，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极(109)和p型欧姆电极(110)；双掺杂Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱有源区(105)自下而上依次包括n型掺杂Al_yGa_1‑yN量子势垒层(1051)、非掺杂Al_yGa_1‑yN量子势垒层(1052)和p型掺杂Al_yGa_1‑yN量子势垒层(1053)组成的复合势垒层、以及非掺杂Al_xGa_1‑xN量子阱层(1054)，其中最后一个周期以复合势垒层结尾。