[发明专利]一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法在审
| 申请号： | 201710330929.4 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107096988A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 殷祚炷;孙凤莲;樊嘉杰;刘洋 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学;常州市武进区半导体照明应用技术研究院 |
| 主分类号： | B23K20/02 | 分类号： | B23K20/02;B23K13/01;B23K28/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有高温功率器件中获得Cu3Sn金属间化合物的耐高温材料所需的整体加热互连工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、Cu/Sn/Cu结构箔片置于线圈中，在箔片的表面用重物压上，控制加热温度为240℃～530℃，钎焊时间为20s～300s，持续施加0.007MPa～0.05MPa压力进行封装。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 制备 电子 封装 材料 cu3sn 金属 化合物 方法 | ||
【主权项】：
一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法，其特征在于该方法是通过下列步骤实现：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗，取出后晾干，得到清洗后的Sn箔和Cu箔；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，然后将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、将Cu/Sn/Cu三明治结构箔片置于高频感应加热装置的线圈中，在Cu/Sn/Cu三明治结构箔片的表面用重物压上，控制加热温度为240℃～530℃，钎焊时间为20s～300s，进行连接，连接过程中持续施加0.007MPa～0.05MPa焊接压力，焊接结束后空冷至250℃以下，即完成所述的电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的制备。
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