[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710330312.2 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107170807B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 宋振;王国英 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可以降低源极和漏极与沟道区之间的寄生电阻。所述薄膜晶体管，包括设置在衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；还包括设置在所述有源层上表面且分别与所述源极区、漏极区和沟道区对应第一源极、第一漏极、和栅绝缘层；所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合；所述第一源极和所述第一漏极到所述栅绝缘层的距离不大于1μm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；其特征在于，还包括设置在所述有源层上表面且分别与所述源极区、所述漏极区和所述沟道区对应的第一源极、第一漏极、和栅绝缘层；所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合；所述第一源极和所述第一漏极到所述栅绝缘层的距离均不大于1μm。
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