[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201710329127.1 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107146791B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 李海旭;曹占锋;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置,该方法包括:形成平坦化层;在平坦化层上形成透明导电氧化物层和金属层;在金属层上涂布光刻胶,并对光刻胶进行构图,形成光刻胶全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶全去除区;刻蚀掉光刻胶全去除区内的金属层;采用灰化工艺,去除光刻胶半保留区内的全部光刻胶以及光刻胶全保留区域的部分光刻胶;刻蚀掉光刻胶全去除区内的透明导电氧化物层,形成透明导电氧化物层图形;刻蚀掉光刻胶半保留区内的金属层,形成金属层图形;剥离光刻胶全保留区内的光刻胶。本发明中,在进行灰化工艺之前,并不湿刻掉光刻胶全去除区内的透明导电氧化层,在进行灰化工艺时,透明导电氧化层对平坦化层进行保护。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:形成平坦化层;在所述平坦化层上依次形成透明导电氧化物层和金属层;在所述金属层上涂布光刻胶,并采用半色调或灰色调掩膜版,对所述光刻胶进行构图,形成光刻胶全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶全去除区;刻蚀掉所述光刻胶全去除区内的金属层;采用灰化工艺,去除所述光刻胶半保留区内的全部光刻胶以及所述光刻胶全保留区域的部分光刻胶;刻蚀掉所述光刻胶全去除区内的透明导电氧化物层,形成透明导电氧化物层图形;刻蚀掉所述光刻胶半保留区内的金属层,形成金属层图形;剥离所述光刻胶全保留区内的光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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