[发明专利]FinFET结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710286253.3 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107424932B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林志翰;林志忠;李俊鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法的实施例，包括在衬底的第一区中形成第一鳍并且在衬底的第二区中形成第二鳍，在衬底上形成第一隔离区，第一隔离区围绕第一鳍和第二鳍，在第一鳍上方形成第一伪栅极并且在第二鳍上方形成第二伪栅极，第一伪栅极和第二伪栅极具有相同的纵向轴线，用第一替换栅极替换第一伪栅极并且用第二替换栅极替换第二伪栅极，在第一替换栅极和第二替换栅极之间形成第一凹槽，以及在第一凹槽中填充绝缘材料以形成第二隔离区。本发明实施例涉及FinFET结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成FinFET结构的方法，包括：/n在衬底的第一区中形成第一鳍并且在所述衬底的第二区中形成第二鳍；/n在所述衬底上形成第一隔离区，所述第一隔离区围绕所述第一鳍和所述第二鳍；/n在所述第一鳍上方形成第一伪栅极并且在所述第二鳍上方形成第二伪栅极，所述第一伪栅极和所述第二伪栅极具有相同的纵向轴线；/n用第一替换栅极替换所述第一伪栅极并且用第二替换栅极替换所述第二伪栅极；/n在所述第一替换栅极和所述第二替换栅极之间形成第一凹槽；以及/n在所述第一凹槽中填充绝缘材料以形成第二隔离区，/n其中，当从平行于所述第一替换栅极和所述第二替换栅极的纵向轴线的方向测量时，所述第二隔离区的底面宽于所述第二隔离区的顶面，所述第二隔离区的底面比所述第二隔离区的顶面更靠近所述第一隔离区，以及/n其中，在顶视图中，第二隔离区的侧壁具有凹形。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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