[发明专利]n沟道DEMOS器件

摘要

一种n沟道DEMOS器件包括在掺杂表面层(115)内形成的限定长度方向和宽度方向的p阱指形件(1201)。包括源极(126)的第一n阱(125a)在p阱指形件的一侧上，并且在p阱指形件的相对侧上的第二n阱(125b)包括漏极(136)。栅极堆叠在源极和漏极之间的p阱指形件(1201)的沟道区(120a)上方。场介电层(111)在限定第一有源区(140)的表面层上，该第一有源区(140)包括第一有源区边界(其包括沿着宽度方向的WD边界(140a1))，在该第一有源区边界之中具有沟道区(120a)。第一p型层(161)在第一有源区(140)的外部，与WD边界相距至少第一最小距离，并且第二p型层(162)被较少地掺杂并且比第一最小距离更接近WD边界。

主权项

一种制造具有n沟道漏极延伸金属氧化物半导体器件即n沟道DENMOS器件的集成电路即IC的方法，其包括：提供衬底，所述衬底具有在其上的掺杂表面层；形成限定长度方向和宽度方向的至少一个p阱指形件，其在包括沟道区的所述表面层内具有p阱掺杂；在所述p阱指形件的一侧上形成第一n阱，并且在所述p阱指形件的相对侧上形成第二n阱；在限定第一有源区的所述表面层的一部分上形成场介电层，所述第一有源区具有第一有源区边界，所述第一有源区边界包括沿着所述宽度方向的WD边界，在所述第一有源区边界之中具有所述沟道区；在所述沟道区上方形成栅极堆叠，所述栅极堆叠包括栅极介电层和在所述栅极介电层上的图案化栅电极；植入所述p阱指形件以形成第一p型层，所述第一p型层在所述第一有源区外部被掺杂第一掺杂水平，并且与所述WD边界相距至少第一最小距离；植入所述p阱指形件以形成第二p型层，所述第二p型层被掺杂小于所述第一掺杂水平的第二掺杂水平并且具有比所述第一最小距离更接近所述WD边界的第二最小距离，以及在所述第一n阱内形成n+源极并且在所述第二n阱内形成n+漏极。