[发明专利]阵列基板、显示基板的制作方法、显示基板及显示面板有效
申请号: | 201710263476.8 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107093607B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 于晓平 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/41;H01L29/45;H01L21/28;H01L21/84;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板、显示基板的制作方法、显示基板及显示面板,所述阵列基板包括:玻璃基板;栅极电极层,形成在所述玻璃基板上;绝缘层,覆盖在所述玻璃基板和所述栅极电极层上;半导体层,覆盖在所述绝缘层上;n型掺杂石墨烯层,形成在所述半导体层上;源极和漏极电极层,形成在所述n型掺杂石墨烯层上。通过上述方式,本发明能够很好的导通半导体层与金属电极层,显著提高半导体器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 制作方法 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:玻璃基板;栅极电极层,形成在所述玻璃基板上;绝缘层,覆盖在所述玻璃基板和所述栅极电极层上;半导体层,覆盖在所述绝缘层上;n型掺杂石墨烯层,形成在所述半导体层上,所述n型掺杂石墨烯层具有纳米级图案,其包括第一n型掺杂石墨烯层和第二n型掺杂石墨烯层,所述第一n型掺杂石墨烯层和所述第二n型掺杂石墨烯层间隔设置,且位于所述栅极电极层垂直上方的两端,所述第一n型掺杂石墨烯层和所述第二n型掺杂石墨烯层分别与所述栅极电极层部分重叠;源极和漏极电极层,形成在所述n型掺杂石墨烯层上;其中,所述n型掺杂石墨烯层用于导通所述半导体层与所述源极电极层、还用于导通所述半导体层与所述漏极电极层;所述n型掺杂石墨烯层为氮掺杂石墨烯层,所述氮掺杂石墨烯由氧化石墨烯分散液以及尿素形成,所述氧化石墨烯分散液的浓度为0.1~5mg/mL,所述氧化石墨烯分散液中的氧化石墨烯与所述尿素中的纯净尿素的质量比为1:5~1:50。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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