[发明专利]有机互补型非门器件的制备方法在审
| 申请号： | 201710259995.7 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107104188A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张文显 | 申请（专利权）人： | 上海幂方电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙)11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201612 上海市松江区上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种有机互补型非门器件的制备方法，形成一个柔性基底；在柔性基底上打印形成第一导电层，作为有机互补型非门器件内部的N沟道OFET和P沟道OFET的共用栅极；在第一导电层上打印形成电介质层；在电介质层上打印形成第二导电层，作为N沟道OFET的源极、P沟道OFET的源极以及N沟道OFET和P沟道OFET的共用漏极，源极和共用漏极之间存在未覆盖电介质层的沟道；相应的在沟道位置打印或者滴膜形成有机半导体层。使有机互补型非门器件制备过程更简易，成本更低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 互补 非门 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机互补型非门器件的制备方法，其特征在于，包括：形成一个柔性基底；在所述柔性基底上打印形成第一导电层，作为所述有机互补型非门器件内部的N沟道OFET和P沟道OFET的共用栅极；在所述第一导电层上打印形成电介质层；在所述电介质层上打印形成第二导电层，作为所述N沟道OFET的源极、P沟道OFET的源极以及N沟道OFET和P沟道OFET的共用漏极，所述源极和共用漏极之间存在未覆盖所述电介质层的沟道；相应的在所述沟道位置打印或者滴膜形成有机半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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