[发明专利]射频开关器件有效
申请号: | 201710241941.8 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN107026162B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 刘张李 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 屈蘅<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种射频开关器件,包括依次堆叠配置或串联连接的多个串联晶体管,相邻两个串联晶体管的连接点为串联节点,至少一个串联节点和地之间设有寄生电容,设置的寄生电容可以有效提高射频开关器件的输入端和输出端之间的隔离度。 | ||
搜索关键词: | 射频 开关 器件 | ||
【主权项】:
1.一种射频开关器件,其特征在于,包括依次堆叠配置或串联连接的多个串联晶体管,相邻两个串联晶体管的连接点为串联节点,至少一个串联节点和地之间设有寄生电容;所述射频开关器件还包括绝缘体上半导体衬底以及位于所述绝缘体上半导体衬底上方的第一金属层,所述绝缘体上半导体衬底包括依次堆叠的半导体基底、位于所述半导体基底上的绝缘埋层以及位于所述绝缘埋层上的顶层半导体层,所述顶层半导体层设有多个相互隔离的串联晶体管有源区,每个串联晶体管有源区形成有一个所述串联晶体管,所有串联晶体管通过所述第一金属层串联;每个所述寄生电容的一个电极板为所述寄生电容所在处的串联晶体管有源区;每个所述寄生电容的另一个电极板为部分所述第一金属层,或者为位于所述第一金属层上方的第二金属层,或者为位于所述顶层半导体层中的相应的额外有源区,所述第二金属层位于相应的串联晶体管有源区的外侧并与所述相应的串联晶体管有源区隔离且接地,所述额外有源区位于相应的串联晶体管有源区的外侧并与所述相应的串联晶体管有源区隔离;当有多个串联节点和地之间设有寄生电容时,所有寄生电容的所述另一个电极板在所有串联晶体管有源区一侧连接为一个整体且呈梳状结构,所述梳状结构的梳齿自由端靠近相应的串联晶体管有源区且与所述相应的串联晶体管有源区隔离,所述梳状结构的梳背接地。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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