[发明专利]半导体纳米紫外光探测及气体传感集成器件的制作和应用在审
申请号: | 201710220410.0 | 申请日: | 2017-04-06 |
公开(公告)号: | CN107091874A | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 祝元坤;赵爽;王现英 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | G01N27/48 | 分类号: | G01N27/48;G01R27/02;H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体纳米紫外光探测及气体传感集成器件的制作和应用,采用化学气相沉积方法,在p型Si/SiO2衬底表面中间段合成二维结构ZnO半导体纳米片,沿合成后的ZnO纳米片两端镀制对称Au/Ti金属电极,采用PDMS、PMMA、PVC中任意一种聚合物涂覆金属电极层,利用对紫外和可见光不透明的铝箔遮挡除中间二维结构ZnO半导体纳米片以外的其他部分制成器件。实现对不同环境气氛条件下紫外光信号的稳定探测以及室温条件下对有机物分子的检测,解决半导体紫外光探测器在环境气氛条件下性能不稳定的难题。具有结构简单、响应快、灵敏度高、可在室温下工作等优点。 | ||
搜索关键词: | 半导体 纳米 紫外光 探测 气体 传感 集成 器件 制作 应用 | ||
【主权项】:
一种半导体纳米紫外光探测及气体传感集成器件的制作方法,其特征在于,具体包括如下步骤:1)采用化学气相沉积方法,在p型Si/SiO2绝缘衬底表面中间段合成二维结构ZnO半导体纳米片;2)利用电子束曝光方法、光刻以及铝箔覆盖方法制作做掩膜版,采用磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发方法,沿步骤1)合成后的ZnO纳米片两端镀制对称Au/Ti金属电极,金属电极一部分在SiO2 绝缘衬底上,一部分在ZnO纳米片上;3)采用涂覆导电银胶、焊接方法,从金属电极位置引出外接导线;4)采用PDMS、PMMA、PVC中任意一种聚合物涂覆金属电极层,聚合物厚度为100~2000 nm;利用对紫外和可见光不透明的铝箔遮挡除中间二维结构ZnO半导体纳米片以外的其他部分,完成半导体纳米紫外光探测及气体传感集成器件制作。
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