[发明专利]一种反熔丝单元结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种反熔丝单元结构及其制备方法，该反熔丝单元结构为N+/SiOxNy/METAL(N+扩散区/SiOxNy/Metal)反熔丝单元结构。按照本发明提供的技术方案，N+/ON/M反熔丝单元结构适用于多种材料片，包括SOI圆片、体硅片及外延片。N+/ON/M反熔丝单元结构工艺流程与CMOS工艺流程完全兼容。反熔丝介质层是SiOxNy材料，反熔丝上极板采用金属材料，并采用TiN材料作为阻挡层，有效降低了反熔丝单元的编程电阻。本发明N+/SiOxNy/METAL反熔丝单元结构工艺流程简单，与CMOS工艺兼容，有效地避免NMOS器件“自掺杂”现象的产生，同时直接采用金属作为反熔丝单元结构的上电极，可以有效地降低反熔丝单元的编程电压及导通电阻。

主权项

一种N+/SiOxNy/METAL反熔丝结构，制作在硅衬底(00)上的P阱(11)内，其特征在于：所述的N+/SiOxNy/METAL反熔丝结构包括反熔丝单元结构（100）和CMOS器件单元结构（200）；所述的反熔丝单元结构（100）包括P阱（00）内N+扩散区（11）；所述N+扩散区内为反熔丝下极板注入区，反熔丝下极板注入区包括NHV注入区域（118）及N+S/D注入区域（117）；所述的反熔丝注入区上方覆盖BPSG介质层（113）；所述BPSG介质层上覆盖反熔丝介质层（114），并填充到反熔丝孔内，反熔丝介质层上覆盖阻挡层（115）；所述的阻挡层（115）上覆盖金属作为反熔丝上电极板（116）；所述的CMOS器件单元结构（200）包括P阱（21）内NHV注入区域（218），所述的NHV注入区域（218）为N+S/D源、漏注入区域（217）；所述的P阱上方为栅氧化层（220），所述的栅氧化层上方覆盖多晶栅（221），所述的栅氧化层（220）及多晶栅两侧为SPACER侧墙（219）并搭在两侧NHV注入区（218）上方；所述的源、漏注入区域（217）上方覆盖BPSG介质层（213）。