[发明专利]一种用于CuCGA器件的植柱方法

摘要

一种用于CuCGA器件的植柱方法。本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种CGA器件的植柱方法。为解决CuCGA器件阵列铜柱植柱难度大、植柱质量受现有植柱装置影响而表现出的焊接传热问题、焊点气孔问题。本发明首先在阵列排布的焊盘上印刷焊锡膏，并通过回流焊实现焊盘上的植球；将铜柱代替钻头装夹于微型高精度钻床的夹头中，并使铜柱位于待植柱焊盘上方并与焊盘中心对中后，利用钻床带动铜柱旋转并下压钻入焊球内预定深度后，停止铜柱的运动，至焊球冷却后夹头打开并提起，铜柱留在焊盘上焊球中，完成单个铜柱的植柱；然后重复植柱步骤以实现每个阵列排布的焊盘上的铜柱的植柱过程，并保证植柱后阵列铜柱露出端共面。本发明用于CuCGA器件的植柱。

主权项

1.一种用于CuCGA器件的植柱方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在阵列排布的焊盘上印刷焊锡膏；步骤2、通过回流焊实现阵列排布的焊盘上的植球；步骤3、单个铜柱的植柱：事先准备端头涂覆有助焊剂的铜柱；将铜柱代替钻头装夹于微型高精度钻床的夹头中，控制待植柱焊盘所在的基板运动，使铜柱位于待植柱焊盘上方并与焊盘中心对中后，利用钻床带动铜柱旋转同时向焊盘上的焊球运动，随后铜柱端部下压并钻入焊球内预定深度S后，停止铜柱的运动，随后铜柱保持静止直至焊球冷却；铜柱镶嵌到钎料焊球当中；打开并提起钻床夹头，使铜柱留在焊盘上的钎料焊球中，完成单个铜柱的植柱过程；所述铜柱端部钻入焊球的过程伴随发生铜柱与焊球之间通过挤压镶嵌形成连接的过程和局部界面通过高温扩散形成连接的过程；步骤4、阵列铜柱的植柱：重复上述步骤3的过程，逐个实现每个阵列排布焊盘上的铜柱的植柱过程，并保证植柱参数相同以使植柱后阵列铜柱露出端共面。