[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种像素结构及其制造方法，该像素结构包括薄膜晶体管及像素电极。薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层及栅极。半导体层位于源极与漏极上且具有设置于源极与漏极之间的通道。栅极包括主要部及辅助部。主要部与源极、漏极和通道重迭设置。辅助部位于主要部外且与主要部电性连接。主要部与辅助部之间具有间隙。像素电极与漏极电性连接。上述像素结构的制造方法也被提出。

主权项

1.一种像素结构，其特征在于，包括：一薄膜晶体管，包括：一源极与一漏极；一半导体层，位于该源极与该漏极上且具有一通道，该通道设置于该源极与该漏极之间；以及一栅极，包括：一主要部，与该源极、该漏极以及该通道重迭设置；以及一辅助部，位于该主要部外且与该主要部电性连接，其中该主要部与该辅助部之间具有一间隙；以及至少一连接部，电性连接于该辅助部与该主要部之间；以及一像素电极，与该薄膜晶体管的该漏极电性连接。