[发明专利]一种阵列基板的制作方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201710204719.0 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106971980A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 洪光辉;龚强 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，包括第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，第一数据线与第二数据线位于扫描线两端，且互不连接；第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线。本发明的阵列基板的制作方法及阵列基板，通过在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线，且在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线，从而简化了工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：基板；在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；在所述有源层上生长第一绝缘层；在所述第一绝缘层上生长第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；在所述第一金属层上生长第二绝缘层；在所述第二绝缘层上生长第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；在所述第二金属层上生长有机平坦化层；在所述有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；在所述第三金属层上生长第三绝缘层；在所述第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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