[发明专利]一种阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201710197970.9 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106887406B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 周志超 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 518132广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的阵列基板的制作方法包括：基板；在基板上形成缓冲层；在缓冲层内形成源极和数据线，同时在缓冲层上形成第一栅极、第二栅极、第一扫描线以及第二扫描线；在源极、第一扫描线以及第二扫描线上形成半导体层；对位于第一扫描线以及第二扫描线上的半导体层进行导体化，以形成导体层；在半导体层上形成第一像素电极，同时在导体层上形成第二像素电极。本发明中阵列基板的制作方法，其工艺步骤较简单，提高了生产效率，减小了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n基板；/n在所述基板上形成缓冲层；/n在所述缓冲层内形成源极和数据线，同时在所述缓冲层上形成第一栅极、第二栅极、第一扫描线以及第二扫描线，其中，所述数据线与所述源极连接，所述第一栅极与所述第二栅极电性连接且环绕所述源极，所述第二扫描线与所述第一栅极以及所述第二栅极连接；/n在所述源极、所述第一扫描线以及所述第二扫描线上形成半导体层；/n对位于所述第一扫描线以及所述第二扫描线上的所述半导体层进行导体化，以形成导体层；/n在所述半导体层上形成第一像素电极，同时在所述导体层上形成第二像素电极，其中，所述第二像素电极通过所述导体层使得所述第一扫描线以及所述第二扫描线连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
