[发明专利]一种易封装易散热倒装高压LED芯片

摘要

本发明提出了一种易封装、易散热的倒装高压LED芯片及其制作方法，包含蓝宝石衬底、外延层、p和n电极、封装基板，对这种结构芯片进行倒装封装时，能够避免芯片电极过小和基板电路焊点过密所造成的对准难问题，使封装更容易实现；此外，各子芯片都做成窄长条形，既有利于电流的均匀分布，又有利于各子芯片的散热，各子芯片的p电极外面有绝缘层包覆，在倒装封装时可使各子芯片与基板紧密接触，避免形成空气间隙，使整个芯片的散热更快。在制作芯片时，对金属薄膜的外绝缘层刻蚀，只需要把第一子芯片的p电极和第N子芯片的n电极部分暴露出即可，这些使得高压芯片制作更简单。

主权项

一种倒装高压LED芯片，其特征在于包括：蓝宝石衬底、外延层、p和n电极、隔离沟槽、内外绝缘薄膜层、金属导电薄膜层、封装基板，所述外延层依次包括n型GaN层、量子阱层和p型GaN层；所述隔离沟槽把倒装高压芯片外延层分隔成两个或两个以上子芯片，每个子芯片有彼此独立的p电极和n电极，所述第一子芯片的n电极和第二子芯片的p电极，到第N‑1子芯片n电极和第N子芯片p电极依次通过金属导电薄膜层连接起来，金属导电薄膜内外均有绝缘层薄膜包覆，在第一子芯片p型GaN和第N子芯片n型GaN的内绝缘层薄膜上，形成倒装高压芯片的p和n电极。