[发明专利]经由偏置的多端口喷射装置的径向和厚度控制有效
申请号: | 201710173292.2 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107227452B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | J·玛格蒂斯;J·托尔;G·巴特立特;N·巴尔加瓦 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34;C23C16/30;C23C16/24;C23C16/28;C30B25/14 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 丁晓峰 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及经由偏置的多端口喷射装置的径向和厚度控制。本发明公开了气体分布系统,以便在交叉流动反应器中的衬底上获得更好的膜均匀性。可以通过对气体分布系统的单独喷射端口的不对称偏置实现更好的膜均匀性。气体分布可以允许膜性质的变化的可调性。 | ||
搜索关键词: | 经由 偏置 多端 喷射 装置 径向 厚度 控制 | ||
【主权项】:
一种在衬底上形成均匀膜的方法,所述方法包括:提供反应室,所述反应室保持待处理的衬底;提供第一多端口喷射器组件,所述第一多端口喷射器组件包括用于将第一气体从第一气体源提供到所述衬底的第一多个单独端口喷射器;提供第二多端口喷射器组件,所述第二多端口喷射器组件包括用于将第二气体从第二气体源提供到所述衬底的第二多个单独端口喷射器;利用所述第一多端口喷射器组件使所述第一气体流动到所述衬底上,其中所述第一多端口喷射器组件具有不对称偏置的所述第一多个单独端口喷射器;以及利用所述第二多端口喷射器组件使所述第二气体流动到所述衬底上,其中所述第二多端口喷射器组件具有不对称偏置的所述第二多个单独端口喷射器;其中实现所述第一气体和所述第二气体在所述衬底各处的基本上均匀的分布;以及其中在所述衬底上所述第一气体和所述第二气体之间发生反应以形成第一膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司,未经ASMIP控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710173292.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的