[发明专利]MRAM器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710167690.3 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN107230742A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 莫竣杰;郭仕奇;李宗宪;翁武安;林重佑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种MRAM器件及其形成方法。一种MRAM器件，包括介电层、可变电阻存储单元以及导电层。介电层位于衬底上方并且具有开口。可变电阻存储单元位于开口中并且包括第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的磁性隧道结层。导电层填充开口的保留部分并且电连接至可变电阻存储单元的第一电极和第二电极中的一个。本发明实施例涉及MRAM器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件，包括：介电层，位于衬底上方并且具有开口；可变电阻存储单元，位于所述开口中并且包括第一电极、第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的磁性隧道结层；以及导电层，填充所述开口的剩余部分并且电连接至所述可变电阻存储单元的所述第一电极和所述第二电极中的一个。
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