[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710156386.9 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106898553A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 安霞;张冰馨;黎明;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法。该器件采用高迁移率沟道材料，可以提高开态电流；在Fin条底部引入局域埋氧层，形成了体在绝缘层上(Body‑on‑Insulator,BOI)结构，切断了源漏间的泄漏电流通道，能够有效抑制泄漏电流，并且比SOI(/SGOI/GOI)FinFET具有更小的埋氧层面积，改善了散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底上具有凸起的Fin条，在Fin条侧壁和顶部表面具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区，其特征在于，沟道区为高迁移率材料，沟道长度小于Fin条长度；源、漏位于沟道区两端；Fin条两端的半导体与衬底相连；Fin条与半导体衬底之间有一层局域埋氧层，形成BOI结构，该局域埋氧层的宽度大于或等于Fin条宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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