[发明专利]一种数据读取方法、集成电路及芯片有效
申请号: | 201710154782.8 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN106683703B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 温浪明;陈恒;易冬柏;方励 | 申请(专利权)人: | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34;G11C16/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 519000 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种数据读取方法、集成电路及芯片,集成电路包括:低电压检测逻辑电路和NVM控制器,在NVM控制器从NVM读取数据之前,低电压检测逻辑电路会首先从NVM的预烧区域读取预烧区域返回值,通过比较预烧区域返回值和预先烧写到预烧区域的目标预烧值是否相等,确定NVM的供电电压是否正常,并且只有在预烧区域返回值和目标预烧值相等时,即NVM的供电电压正常时,NVM控制器才会从NVM内读取数据。由此可知,本发明是在确定NVM的供电电压正常后,才读取NVM内的数据,因此,能够有效保证读取NVM的数据的稳定性,避免因NVM的供电电压处于非正常状态所带来的读取数据不稳定的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 数据 读取 方法 集成电路 芯片 | ||
【主权项】:
一种数据读取方法,其特征在于,所述方法包括:当接收到读取NVM内数据请求时,从所述NVM预先设置的预烧区域读取预烧区域返回值,其中,所述预烧区域为所述NVM内对低供电电压敏感的存储空间,所述预烧区域返回值为从所述预烧区域读取的值;当所述预烧区域返回值等于目标预烧值时,生成第一控制信号,并将所述第一控制信号输出至NVM控制器,控制所述NVM控制器从所述NVM内读取数据,其中,所述目标预烧值为预先烧写到所述预烧区域的值。
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