[发明专利]氯乙酸结晶工艺

摘要

本发明公开了一种氯乙酸结晶工艺，是通过监测结晶釜内氯乙酸物料的料温，根据料温控制结晶釜降温水的水温调节，进行氯乙酸结晶过程的控制，该结晶工艺严格划分为九个阶段，对氯乙酸物料进行八个降温段，和一个升温段，并将升温段设置于降温段之中，从根源上解决了结晶工艺中的晶体挂壁问题。采用本发明的技术方案，获得的氯乙酸结晶工艺，实现对氯乙酸物料结晶过程的精细化控制，避免根据经验操作引入的判断误差等人为因素的影响，并缩短了结晶时间，提高了产品质量和产量。由于结晶过程的精细化控制，该结晶工艺易于实现全自动化操作，不仅可减少工人劳动强度，增加现场安全系数，还可降低生产耗能，极大提高生产效率。

主权项

1.一种氯乙酸结晶工艺，其特征在于，该工艺通过监测结晶釜内氯乙酸物料的料温，根据料温控制结晶釜降温水的水温调节，进行氯乙酸结晶过程的控制，包括以下工艺步骤：/na、当料温≥50℃，进入结晶工艺的第一阶段，开启结晶釜降温水的循环，调控水温升至45℃且保持恒温，对氯乙酸物料进行第一阶段降温；/nb、当料温＞63℃，进入结晶工艺的第二阶段，调控水温升至50℃且保持恒温，对氯乙酸物料进行第二阶段降温；/nc、当料温≤63℃时，进入结晶工艺的第三阶段，调控水温与料温的温差维持在6℃，对氯乙酸物料进行第三阶段降温；/nd、当料温≤58℃时，进入结晶工艺的第四阶段，调控水温与料温的温差维持在4℃，对氯乙酸物料进行第四阶段降温；/ne、当料温≤55℃时，进入结晶工艺的第五阶段，控制结晶釜降温水升温，升温10～40分钟，待结晶釜内壁上附着的晶体完全掉落，控制结晶釜降温水停止升温、开启降温，待水温降至料温温度，向结晶釜内加入氯乙酸母液；/nf、当料温≤52℃时，进入结晶工艺的第六阶段，调控水温与料温的温差由4℃逐渐增大到10℃，对氯乙酸物料进行第五阶段降温；/ng、当料温≤45℃时，进入结晶工艺的第七阶段，调控水温与料温的温差由10℃逐渐增大到15℃，对氯乙酸物料进行第六阶段降温；/nh、当料温≤36℃时，进入结晶工艺的第八阶段，调控水温与料温的温差由15℃逐渐增大到20℃，对氯乙酸物料进行第七阶段降温；/ni、当料温≤30℃时，进入结晶工艺的第九阶段，调控水温与料温的温差由20℃逐渐增大到26℃，对氯乙酸物料进行第八阶段降温；/nj、当料温≤25℃时，停止结晶釜降温水的循环，结晶工艺结束。/n