[发明专利]一种非易失性可编程光电子存储器的设计方法

摘要

本发明的目的是通过设计一种基于双极性半导体的半浮栅场效应晶体管的器件结构方法，使器件具备一种非易失性可编程光电子存储器的新型功能，即通过调控施加在控制栅上的脉冲电压，实现器件在光电转化性能不同状态的存储和逻辑调控。一种非易失性可编程光电子存储器的设计方法，设计的结构依次为，设有电极；选择双极性半导体材料作为沟道层，位于电极之下；设有第一电介质层，位于电极沟道层之下；设有浮栅，位于第一电介质层之下，浮栅为半浮栅结构，即浮栅不覆盖整个沟道层，可以由一个半浮栅(图1)或延伸为多个半浮栅组成；设有第二电介质层，位于浮栅之下；设有控制栅，位于第二电介质层之下。

主权项

1.一种非易失性可编程光电子存储器的设计方法，其特征在于，设计的结构依次为，设有电极(1)；选择双极性半导体材料作为沟道层(2)，位于电极(1)之下；设有第一电介质层(3)，位于电极(1)沟道层(2)之下；设有浮栅(4)，位于第一电介质层(3)之下，浮栅(4)为半浮栅结构，即浮栅不覆盖整个沟道层，可以由一个半浮栅或延伸为多个半浮栅组成；设有第二电介质层(5)，位于浮栅(4)之下；设有控制栅(6)，位于第二电介质层(5)之下；通过在所述控制栅(6)输入不同的脉冲电压，获得所述沟道层(2)在pn结与非pn结不同状态的存储和逻辑转变，使得所述沟道层可以存储在一种光电转换状态(定义为1)或另外一种非光电转换状态(0态)，并且可以跳变，从而实现控制栅脉冲电压对沟道层的光电子性能不同状态的非易失性存储和逻辑调控；在该类非易失性可编程光电子存储器中，输入信号为光信号，光信号辐照在沟道层上，输出信号为电信号，或者反之；通过施加不同的控制栅脉冲电压，使器件存储在不同的光电转换性能状态并可以在其之间转变；所述非易失性可编程光电子存储器件，其控制栅脉冲电压使沟道层存储在具有光电转换性能和没有光电转换性能的不同状态，并可以在其之间转变，从而具有非易失性可编程光电子存储器的功能。