[发明专利]具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201710133270.3 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN106654858B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 郝永芹;谢检来;王勇;冯源;晏长岭;邹永刚;刘国军;王霞;王志伟 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有VCSEL器件膜层结构过多，阈值电流较高。本发明其特征在于，高折射率导电基底位于氧化物限制层上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底上依次生长低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层；采用刻蚀技术将高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的中间部分制作成双层亚波长光栅；同时采用刻蚀技术将低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的周边部分去除，并在高折射率导电基底周边部分上表面制作p面电极。所述垂直腔面发射半导体激光器同时具有阈值电流低、工作稳定性强等特点，能够直接输出偏振光，用作光通信光源。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 波长 光栅 反射 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器，自下而上包括以下组成部分，n面电极(1)、衬底(2)、n‑DBR反射镜(3)、有源增益区(4)、氧化物限制层(5)和高折射率导电基底(7)，在器件的上表面自外向里依次为p面电极(8)、低折射率亚层(9)，其特征在于，高折射率导电基底(7)位于氧化物限制层(5)上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底(7)上依次生长低折射率亚层(9)、高折射率亚波长光栅层(11)和低折射率光栅层(12)；采用刻蚀技术将高折射率亚波长光栅层(11)和低折射率光栅层(12)的中间部分制作成双层亚波长光栅(13)；同时采用刻蚀技术将低折射率亚层(9)、高折射率亚波长光栅层(11)和低折射率光栅层(12)的周边部分去除，并在高折射率导电基底(7)周边部分上表面制作p面电极(8)。
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