[发明专利]用于原子层沉积系统的石英晶体微天平组件在审
申请号: | 201710132923.6 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN107164743A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | L·莱克蒂尔;M·鲁弗 | 申请(专利权)人: | 超科技公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;G01N5/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 林振波 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于原子层沉积系统的石英晶体微天平组件,其包括原子层沉积系统的反应室的盖体。QCM晶体设置在形成于盖体中的中央腔的底部中。QCM晶体的前表面的中央部裸露于反应室的内部中。固定器设置于中央腔中且位于QCM晶体上方,固定器把QCM晶体压靠于盖体中的台肩上,以在QCM晶体的前表面与台肩之间形成密封,同时也建立与QCM晶体的电接触。法兰紧邻于盖体的顶表面且密封中央腔,同时也通过固定器提供与QCM晶体的电接触。传感器位于反应室外,其通过法兰内的连接器与QCM晶体电接触并驱动QCM晶体。 | ||
搜索关键词: | 用于 原子 沉积 系统 石英 晶体 天平 组件 | ||
【主权项】:
一种用于原子层沉积系统的石英晶体微天平QCM组件,原子层沉积系统具有反应室,反应室具有内部,该石英晶体微天平QCM组件包括:反应室的盖体,该盖体具有中央腔;QCM晶体,其具有前表面、背表面与直径DQ并且设置于中央腔的底部中,前表面接触台肩以使前表面的中央部相邻于具有直径DO的QCM开口,且使前表面的中央部通过QCM开口裸露于反应室的内部,其中,(0.25)DQ≤DO≤(0.6)DQ;固定器,具有上表面与向下延伸的多个导电弹性件,固定器设置在中央腔中,导电弹性件与QCM晶体电接触同时把QCM晶体的前表面的外部压靠到台肩上,从而在QCM晶体的前表面与台肩之间形成第一密封;及法兰,具有中央部,中央部紧密地位于中央腔的顶部内且紧邻固定器,法兰具有外部,外部具有下表面,该下表面紧邻盖体的顶表面并与之形成第二密封,该法兰可操作地支撑电接触件,该电接触件与该固定器电接触。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的