[发明专利]集成电路芯片的电容器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710107656.7 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN107275313A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吕南畿;蒋振劼;郑志成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本公开的一些实施例，集成电路芯片的电容器结构包括绝缘层、第一电极和第二电极。绝缘层包括绝缘隔板并具有第一沟槽和通过绝缘隔板与第一沟槽分离的第二沟槽。第一电极设置在第一沟槽中。第二电极设置在第二沟槽中。第一电极沿螺旋轨迹布置并环绕螺旋沟道。第二电极设置在螺旋沟道内。本发明的实施例还提供了另一种集成电路芯片的电容器结构以及制造集成电路芯片的电容器结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 电容器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路芯片的电容器结构，包括：绝缘层，包括绝缘隔板并具有第一沟槽和通过所述绝缘隔板与所述第一沟槽分离的第二沟槽；第一电极，设置在所述第一沟槽中；第二电极，设置在所述第二沟槽中，其中，所述第一电极沿螺旋轨迹布置并环绕螺旋沟道，并且所述第二电极设置在所述螺旋沟道内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710107656.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无源元件封装件和包括该无源元件封装件的半导体模块
- 下一篇：电感器结构
