[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710100538.3 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107128869A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 黄富骏;严立丞;吴咨亨;蔡易恒;郑创仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括衬底；介电层，设置在衬底上方；传感结构，设置在介电层上方；接合结构，设置在介电层上方；导电层，覆盖传感结构；以及阻挡层，设置在介电层、导电层和接合结构上方；其中，导电层和接合结构至少部分地从阻挡层暴露。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；介电层，设置在所述衬底上方；传感结构，设置在所述介电层上方；接合结构，设置在所述介电层上方；导电层，覆盖所述传感结构；以及阻挡层，设置在所述介电层和所述导电层上方，其中，所述导电层和所述接合结构至少部分地从所述阻挡层暴露。
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