[发明专利]基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法在审
| 申请号： | 201710098856.0 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107230652A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 宫胜彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在基板表面使溶剂成分从含有升华性物质的溶液中蒸发之后使升华性物质升华的基板处理技术中，能够用较短的节拍时间且出色的能源利用效率来进行处理的技术。基板处理装置具有第一腔室；液膜形成部，其在第一腔室内并在基板的表面形成含有升华性物质的溶液的液膜(P)，该升华性物质具有升华性；第二腔室(30)，其接受形成有液膜(P)的基板(W)；板部(311)，其设于第二腔室(30)内，基板(W)能够被放置于该板部(311)的上表面；温度控制部(312、335)，其控制板部的上表面升温到规定温度；加热部(322)，其在被放置于板部(311)的基板(W)上方，对从溶液析出的升华性物质进行加热，以使该升华性物质升华。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其中，具有：第一腔室，液膜形成部，其在所述第一腔室内，在基板的表面形成液膜，所述液膜由含有升华性物质的溶液形成，所述升华性物质具有升华性，第二腔室，其接受形成有所述液膜的所述基板，板部，其设于所述第二腔室内，所述基板能够被放置于所述板部的上表面，温度控制部，其控制所述板部的上表面升温到规定温度，加热部，其在被放置于所述板部的所述基板上方，对从所述溶液析出的所述升华性物质进行加热，以使所述升华性物质升华。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
