[发明专利]化合物半导体电路应用中的瞬态过应力保护的装置和方法

摘要

公开了化合物半导体电路应用中的瞬态过应力保护的装置和方法。本文提供了用于化合物半导体保护钳位器的装置和方法。在某些配置中，化合物半导体保护钳位器包括电阻器‑电容器(RC)触发网络和金属‑半导体场效应晶体管(MESFET)钳位器。RC触发网络检测ESD/EOS事件何时存在于第一节点和第二节点之间，并且响应于检测到ESD/EOS事件而激活MESFET钳位器。当MESFET钳位器被激活时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供低阻抗路径，从而提供ESD/EOS保护。当被禁用时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供高阻抗，并且因此以低泄漏电流和小静态功率耗散操作。

主权项

一种化合物半导体电路，包括：第一节点；第二节点；和电连接在所述第一节点和所述第二节点之间的化合物半导体保护钳位器，其中所述化合物半导体保护钳位器包括：电阻器‑电容器(RC)触发网络，被配置为检测在第一节点和第二节点之间存在瞬态过应力事件，其中，所述RC触发网络被配置为响应于检测到所述瞬态过应力事件而生成激活控制信号；和金属‑半导体场效应晶体管(MESFET)钳位器，被配置为从所述RC触发网络接收所述激活控制信号，并基于所述激活控制信号而选择性地激活所述第一节点和第二节点之间的放电路径。