[发明专利]一种用于减少晶圆边缘良率测试问题的方法有效
| 申请号： | 201710079115.8 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106803482B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王立斌;邓咏桢;曹秀亮;康军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于减少晶圆边缘良率测试问题的方法，包括：第一步骤：获取对晶圆的钝化层执行光刻所将要采用的图案化光罩和图案化光阻；第二步骤：将所述图案化光罩变成反相的以得到反相的图案化光罩，而且在保持光阻图案不变的情况下使得所述图案化光阻的正负属性变化以得到相反的图案化光阻；第三步骤：利用所述反相的图案化光罩和所述相反的图案化光阻，对晶圆执行光刻。在本发明的用于减少晶圆边缘良率测试问题的方法中，将钝化层的光罩和光阻都变成反相的，这样既保持了晶圆中，除去边缘位置开始的预定部分，其他部分图形不变；而从边缘起到预定部分，钝化层保留下来，这样就不会产生测试假失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减少 边缘 测试 问题 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于减少晶圆边缘良率测试问题的方法，其特征在于包括：/n第一步骤：获取对晶圆的钝化层执行光刻所将要采用的图案化光罩和图案化光阻；/n第二步骤：将所述图案化光罩变成反相的以得到反相的图案化光罩，而且在保持光阻图案不变的情况下使得所述图案化光阻的正负属性变化以得到相反的图案化光阻；/n第三步骤：利用所述反相的图案化光罩和所述相反的图案化光阻，对晶圆执行光刻；以使晶圆边缘至预定部分位于钨插塞之上的钝化层保留下来。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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