[发明专利]对金属层表面粗糙化处理的方法、薄膜晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201710071436.3 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106847704B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 冯京;崔承镇;张方振;黎午升;吕志军;宁策;王久石 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L29/417;H01L21/34;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对金属层表面粗糙化处理的方法、薄膜晶体管及制作方法，通过对金属层表面进行粗糙化处理，使金属层表面变得粗糙，增加了后续在金属层表面进行构图时的附着力。所述对金属层表面粗糙化处理的方法，包括：在金属层表面形成第一光刻胶层，并对所述第一光刻胶层进行高温处理；剥离所述第一光刻胶层，使所述金属层表面粗糙化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 表面 粗糙 处理 方法 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种对金属层表面粗糙化处理的方法，其特征在于，该方法包括：在金属层表面形成第一光刻胶层，并对所述第一光刻胶层进行高温处理；剥离所述第一光刻胶层，使所述金属层表面粗糙化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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