[发明专利]通过对可热膨胀材料执行加热工艺以于FinFET装置上形成应变沟道区的方法

摘要

本发明揭示通过对可热膨胀材料执行加热工艺以于FinFET装置上形成应变沟道区的方法，其说明性方法包括，其中，移除未被栅极结构覆盖的整体鳍片结构的垂直高度部分的至少一部分，以定义出位于所述栅极结构下方的所述整体鳍片结构的剩余部分，其中，所述剩余部分包括沟道部分以及位于所述沟道部分的一较低部分。所述方法继续形成可热膨胀材料层(HEM)，于所述HEM上执行加热工艺以使所述HEM膨胀，凹陷所述HEM以暴露所述沟道部分的边缘以及使用所述沟道部分的所述暴露边缘作为生长表面以于所述HEM的上方生长半导体材料。

主权项

1.一种形成半导体装置的方法，该方法包括：形成多个鳍片形成沟槽于半导体基板中，从而定义具有垂直高度的整体鳍片结构；形成绝缘材料层于所述鳍片形成沟槽中，所述绝缘材料层具有上表面，所述上表面是位于以暴露所述整体鳍片结构的一部分；形成栅极结构于所述绝缘材料层的上方以及所述整体鳍片结构的经暴露的部分的周围，所述栅极结构包括至少一侧壁间隔以及栅极覆盖层；执行至少一第一蚀刻工艺以移除未被所述栅极结构覆盖的所述整体鳍片结构的部分的所述垂直高度的至少一部分，以定义出位于所述栅极结构下方的所述整体鳍片结构的剩余部分，其中，所述剩余部分包括沟道部分以及位于所述沟道部分下方的较低部分；执行至少一第二蚀刻工艺以移除所有的未被所述栅极结构覆盖的所述绝缘材料层；形成邻接所述整体鳍片结构的所述剩余部分的可热膨胀材料层；于所述可热膨胀材料层上执行加热工艺，以使所述可热膨胀材料层膨胀；于执行所述加热工艺之后，凹陷所述可热膨胀材料层以使其具有暴露所述整体鳍片结构的所述剩余部分的所述沟道部分的边缘的凹陷上表面；以及使用所述沟道部分的经暴露的边缘作为生长表面以生长半导体材料于所述可热膨胀材料层的所述凹陷上表面的上方。