[发明专利]一种复合图形衬底及其制作方法在审
| 申请号： | 201710056035.0 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346719A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 潘尧波;唐军;刘亚柱;陶淳 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合图形衬底及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1‑xN缓冲层，0≤X≤1；S2：在缓冲层表面沉积低折射率介质层，低折射率介质层的折射率小于1.8；S3：刻蚀低折射率介质层，得到凹陷结构，凹陷结构暴露出缓冲层。本发明获得的复合图形衬底，可以直接放入量产MOCVD中进行生产；使用复合图形衬底生长的外延片在对光的提取效率较同种规格的蓝宝石图形衬底提高3‑5％；使用复合图形衬底生长的外延片，特别适合通过激光剥离方法制作垂直LED芯片，并且剥离后的蓝宝石衬底可以重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 复合图形 蓝宝石 低折射率介质层 凹陷结构 缓冲层 外延片 制作 沉积低折射率 缓冲层表面 蓝宝石图形 衬底表面 激光剥离 提取效率 重复利用 介质层 折射率 生长 沉积 放入 刻蚀 量产 剥离 垂直 暴露 生产 | ||
【主权项】：
1.一种复合图形衬底的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1‑xN缓冲层，0≤X≤1；S2：在所述缓冲层表面沉积低折射率介质层，所述低折射率介质层的折射率小于1.8；S3：刻蚀所述低折射率介质层，得到凹陷结构，所述凹陷结构暴露出所述缓冲层。
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