[发明专利]一种高功率半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710040685.6 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108336640A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李沛旭;孙素娟;开北超;夏伟;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高功率半导体激光器及其制备方法。该半导体激光器，包括底座、绝缘层和激光器模块；底座上设置有绝缘层；绝缘层上面设置有正电极、激光器模块和负电极，激光器模块包括至少一个激光器发光单元，激光器发光单元由激光器芯片及其两侧的过渡热沉构成，其中一侧的过渡热沉为带有台阶的L型过渡热沉。其制备方法包括以下步骤：（1）形成激光器发光单元；（2）将所需数量的激光器发光单元通过焊料进行连接，形成激光器模块；（3）将绝缘层、底座、正电极、负电极以及激光器模块键合成型。本发明增加了激光器发光单元与绝缘层的接触面积，便于键合，减少了键合空洞，键合牢固，同时增加了激光器单元正负电极的距离，减小了短路概率。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 激光器模块 发光单元 激光器 过渡热沉 键合 底座 制备 高功率半导体激光器 负电极 正电极 半导体激光器 焊料 激光器单元 激光器芯片 短路概率 键合空洞 正负电极 减小 成型 | ||
【主权项】：
1.一种高功率半导体激光器，包括底座、绝缘层和激光器模块；其特征是：底座上设置有绝缘层；绝缘层上面设置有正电极、激光器模块和负电极，激光器模块处于正电极和负电极之间，正电极和负电极分别与激光器模块连接；激光器模块包括至少一个激光器发光单元，各激光器发光单元在绝缘层上水平排列；激光器发光单元由激光器芯片及设置在激光器芯片两侧的过渡热沉构成，其中一侧的过渡热沉为带有台阶的L型过渡热沉，激光器芯片与另一过渡热沉置于L型过渡热沉的台阶之上，L型过渡热沉的底边宽度小于激光器发光单元的宽度。
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