[发明专利]一种低容低残压瞬态电压抑制二极管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710023829.7 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106684040A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 霍田佳;苏海伟;赵德益;赵志方;王允;吕海凤;张啸;杜牧涵;苏亚兵 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L27/07 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低容低残压瞬态电压抑制二极管器件及其制造方法，低容低残压瞬态电压抑制二极管器件包括自下往上依次设置的欧姆正电极接触区、N+衬底区、N‑外延层、P基区、P+触发区、N+发射区、欧姆负电极接触区，所述P+型的触发区位于P‑基区上部，所述N+注入区位于P+触发区内部及两侧。本发明将传统TVS电压抑制二极管器件结构改进为一个横向雪崩TVS二极管与一个纵向双极晶体管结合的新型结构，在相同的工作条件下，明显的减小了TVS器件的浪涌残压和寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低容低残压 瞬态 电压 抑制 二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低容低残压瞬态电压抑制二极管器件，包括自下往上依次设置的欧姆正电极接触区、N+衬底区、N‑外延层、P基区、P+触发区、N+注入区、欧姆负电极接触区，所述P+型的触发区位于P基区上部，所述N+注入区位于P+触发区内部及两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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