[发明专利]在衬底片分区上进行异质外延的方法在审
| 申请号： | 201710017838.5 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106783550A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘道广;周伟松;严利人 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在衬底片分区上进行异质外延的方法，包括以下步骤(1)在大尺寸晶圆片上，通过设置切割槽，对晶圆片表面进行分区，所述切割槽的宽度0.1～500μm，深度0.1～100μm；(2)在已经分区的晶圆片表面进行异质材料的外延薄膜生长。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 分区 进行 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底片分区上进行异质外延的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在大尺寸晶圆片上，通过设置切割槽，对晶圆片表面进行分区，所述切割槽的宽度0.1～500μm，深度0.1～100μm；(2)在已经分区的晶圆片表面进行异质材料的外延薄膜生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
