[发明专利]带有具有用于扇出缩放的柱和过孔连接的高密度互连层的封装衬底在审
| 申请号： | 201680091262.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110024111A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | R·A·迈;S·R·S·博雅帕提;K·K·达尔马韦卡尔塔;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;J·索托冈萨雷斯;K·C·利姆;A·阿列克索夫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/00;H01L23/522;H01L23/538;H01L23/525 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 总体上给出了具有用于缩放高密度布线的高密度互连架构的集成电路封装衬底、以及相关结构、器件和方法。更具体而言，给出了具有基于可以包括柱和过孔的高密度互连层、以及用于管芯附接的集成腔的扇出布线的集成电路封装衬底。此外，给出了具有形成于高密度互连层上的自对准柱和过孔的集成电路封装衬底以及相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度互连 集成电路 缩放 高密度布线 扇出布线 自对准 附接 管芯 扇出 架构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路封装，包括：具有第一侧和第二侧的高密度互连层；形成于所述高密度互连层的所述第一侧上的柱；形成于所述高密度互连层的所述第二侧上的过孔；第一管芯；以及封装衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680091262.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路封装方法以及集成封装电路
- 下一篇：功率模块和用于制造功率模块的方法
