[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法有效
申请号: | 201680053039.7 | 申请日: | 2016-09-26 |
公开(公告)号: | CN108028286B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 赖纳·哈特曼;马丁·曼德尔;西梅昂·卡茨;安德烈亚斯·吕克尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种光电子半导体芯片(1),所述光电子半导体芯片尤其呈薄膜芯片的形式,所述光电子半导体芯片包括载体(5)、以及芯片前侧、芯片后侧(52)和设置在载体(5)上的半导体本体(2),所述半导体本体具有半导体层序列。半导体层序列包括有源区域(20),所述有源区域设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间。所述有源区域用于产生或接收电磁辐射。第一半导体层(21)与第一接触件(41)导电连接,其中第一接触件(41)在芯片前侧上、尤其在有源区域(20)旁边构成。第二半导体层(22)与第二接触件(42)导电连接,并且第二接触件(42)同样在芯片前侧上、尤其在有源区域(20)旁边构成。电绝缘的分离层(6)在电端子层(31)和载体(5)之间或在载体之内构成。 | ||
搜索关键词: | 光电子 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电子半导体芯片(1),所述光电子半导体芯片具有:载体(5);和设置在所述载体(5)上的半导体本体(2),所述半导体本体具有半导体层序列;以及芯片前侧和芯片后侧,其中-所述半导体层序列包括有源区域(20),所述有源区域设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间,并且所述有源区域设置用于产生或接收电磁辐射,-所述第一半导体层(21)与第一接触件(41)导电连接,-所述第一接触件(41)在所述芯片前侧上、尤其在所述有源区域(20)旁边构成,-所述第二半导体层(22)与第二接触件(42)导电连接,-所述第二接触件(42)同样在所述芯片前侧上、尤其在所述有源区域(20)旁边构成,并且-电绝缘的分离层(6),所述分离层将所述半导体芯片的所述芯片后侧与所述有源区域(20)电绝缘,其中电绝缘的所述分离层(6)包括至少一个第一分离层(61),所述第一分离层具有至少一个原子子层的层或至少一个分子子层的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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