[发明专利]用于材料移除的半导体装置处理方法

摘要

本发明题为“用于材料移除的半导体装置处理方法”。本发明公开了一种从半导体基材上方移除材料层的至少一部分的方法，该方法可包括将蚀刻溶液分配在半导体基材上方以在材料层上形成蚀刻溶液池，其中蚀刻溶液池的覆盖区小于半导体基材的覆盖区。蚀刻溶液池以及半导体基材可相对于彼此移动。可用至少一个空气刀在半导体基材上限定蚀刻溶液池的池边界，使得蚀刻溶液池在蚀刻溶液池的覆盖区内蚀刻半导体基材上方的材料层。蚀刻溶液以及由蚀刻溶液池蚀刻的材料层的至少一部分可用至少一个空气刀移除。

主权项

一种从半导体装置移除材料的方法，包括：提供半导体基材，所述半导体基材包括长度L、第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；在所述半导体基材的所述第一表面上方形成材料层；提供输送器：提供设置在所述输送器上方的第一空气刀；提供设置在所述输送器上方并与所述第一空气刀偏移距离D的第二空气刀，所述距离D小于所述半导体基材的所述长度L；将所述半导体基材放置在所述输送器上，其中所述材料层取向成背离所述输送器，所述半导体基材被放置在所述输送器上在所述第一空气刀之前并且在所述第二空气刀之前；使所述半导体基材沿所述输送器并且在所述第一空气刀下方前进，使得所述半导体基材的一部分设置在所述第一空气刀与所述第二空气刀之间；通过将蚀刻溶液分配到所述半导体基材的设置在所述第一空气刀与所述第二空气刀之间的所述部分上方的所述材料层上来形成蚀刻溶液池；用所述蚀刻溶液池来蚀刻设置在所述第一空气刀与所述第二空气刀之间的所述材料层的一部分；以及通过使所述半导体基材沿所述输送器移动并经过所述第二空气刀来从所述半导体基材的所述表面移除所述蚀刻溶液池以及被所述蚀刻溶液池蚀刻的所述材料层的至少一部分。