[发明专利]控制电阻式切换存储器单元的方法和半导体存储器装置

摘要

本发明提供了控制电阻式切换存储器单元的方法和半导体存储器装置。在一个实施方式中，一种半导体存储器装置包括多个电阻式切换存储器单元，其中，各电阻式切换存储器单元可以包括：(i)可编程阻抗元件，该可编程阻抗元件具有阳极和阴极；(ii)存取晶体管，该存取晶体管具有联接到位线的漏极、联接到可编程阻抗元件阴极的源极、以及联接到字线的栅极；(iii)阱，该阱具有被构造为源极的第一扩散区域、被构造为漏极的第二扩散区域、以及被构造为阱触点的第三扩散区域；以及(iv)二极管，该二极管具有处于第二扩散区域处的阴极和处于第三扩散区域处的阳极，其中，在可编程阻抗元件上的擦除操作期间二极管导通。

主权项

一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括多个电阻式切换存储器单元，其中，各电阻式切换存储器单元包括：a)可编程阻抗元件，所述可编程阻抗元件具有阳极和阴极；b)存取晶体管，所述存取晶体管具有联接到位线的漏极、联接到所述可编程阻抗元件的阴极的源极、以及联接到字线的栅极；c)阱，所述阱具有被构造为所述源极的第一扩散区域、被构造为所述漏极的第二扩散区域、以及被构造为阱触点的第三扩散区域；以及d)二极管，所述二极管具有处于所述第一扩散区域处的阴极和处于所述第三扩散区域处的阳极，其中，在对所述可编程阻抗元件的擦除操作期间所述二极管导通。