[发明专利]具有带有整体附接结构的嵌入式迹线层的微电子衬底有效

专利信息
申请号: 201680014524.3 申请日: 2016-03-07
公开(公告)号: CN107431022B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: Y.邓 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/498
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 周学斌;张涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种微电子衬底可以被形成为具有嵌入式迹线,所述嵌入式迹线包括整体附接结构,该整体附接结构延伸到该微电子衬底的介电层的第一表面之外以用于附接微电子设备。在一个实施例中,该嵌入式迹线可以通过以下步骤来制造:形成虚设层,在该虚设层中形成凹处,在该凹处中共形地沉积表面处理物,在该虚设层上并且邻接该表面处理物形成嵌入式迹线层,以及移除该虚设层。
搜索关键词: 具有 带有 整体 结构 嵌入式 迹线层 微电子 衬底
【主权项】:
一种制造微电子结构的方法,包括:形成虚设层;在所述虚设层中形成至少一个凹处;在所述至少一个凹处中共形地沉积表面处理物;在所述虚设层上并且邻接所述表面处理物形成嵌入式迹线层;以及移除所述虚设层。
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