[实用新型]可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构有效
| 申请号： | 201621126801.3 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN206271709U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 彭工及;萧上智;张靖奇 | 申请（专利权）人： | 亚昕科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 毛广杰 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括一N型半导体层和一P型半导体层，P型半导体层贴附于该N型半导体层的一面上，于该N型半导体层的另一面上堆栈一N+型半导体层，其特征在于所述晶圆结构于该N+型半导体层的表面形成有多个沟槽，该多个沟槽贯穿N+型半导体层和N型半导体层，且该多个沟槽的底部处于P型半导体层中，得以产生较小的沟宽，以缩小晶粒小有效面积，借此在同样面积的晶圆得以增加所生产出晶粒数量，并得以改善蚀刻均匀性及开设沟槽深度控制问题，以有效提升晶粒合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 可增加 晶粒 数量 合格率 结构 | ||
【主权项】：
一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括一N型半导体层和一P型半导体层，P型半导体层贴附于该N型半导体层的一面上，于该N型半导体层的另一面上堆栈一N+型半导体层，其特征在于：所述晶圆结构于该N+型半导体层的表面形成有多个沟槽，该多个沟槽贯穿N+型半导体层和N型半导体层，且该多个沟槽的底部处于P型半导体层中，以形成多个晶粒。
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